根据Kuai Technology 4月17日，Fudan University最近宣布，经过两周后，Fudan的综合巡回赛领域在二维半导体芯片之后取得了重大成功。据报道，福丹大学的周彭和刘·春森的团队通过构建Poisson的准两维模型来预测超级注射现象，从而破坏了现有存储速度的理论限制，并开发了“ POX” PICOSODECOND FLASH MOMENE DECOVEL。它的重写速度可以提高到亚1纳秒（400 picseconds），相当于每秒25亿个操作，并且在这两个技术节点下，其性能超过了全球最快的挥发性SRAM技术。相关结果已在《自然》杂志上发表，标题为“超纳秒超级注射闪存”。据了解，这是世界上最快的半导体存储的半导体，直到今天，可以实现存储和计算速度s。完成大规模集成后，预计将完全推翻现有的内存体系结构。基于这项技术，未来的未来计算机将不具有内存和外部内存，分层的概念，也可以实现AI的局部扩展。确保指出来源：Kuai技术编辑：Shiqi